宾夕法尼亚州马尔文市-2020年12月23日-日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布推出最新的第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件-SiHH070N60EF。 Vishay Siliconix n通道SiHH070N60EF的导通电阻比其先前的器件低29％，为通信，工业，计算和企业级电源应用提供了有效的解决方案。
同时，栅极电荷减少了60％，这使得器件的导通电阻和栅极成为极电荷产物，也就是说，功率转换应用中600V MOSFET的重要品质因数（FOM）最低。创业世界。
Vishay提供了丰富的MOSFET技术来支持所有级别的功率转换，涵盖了从高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出以及即将推出的第四代600V EF系列产品的推出，Vishay可以在电力系统架构设计的前两个阶段满足改善能效和功率密度的要求，包括图腾柱无桥功率因数校正（ PFC）和软切换DC / DC转换器的拓扑。
SiHH070N60EF基于Vishay最新的高效E系列超级结技术。在10V条件下，典型的导通电阻仅为0.061Ω，超低栅极电荷降至50nC。
该器件的FOM为3.1Ω* nC，比同类产品的MOSFET低30％。这些参数表明减少了传导和开关损耗，从而节省了能量。
SiHH070N60EF的有效输出电容Co（er）和Co（tr）分别仅为90pf和560pF，这可以改善零电压开关（ZVS）拓扑（如LLC谐振转换器）的开关性能。器件的Co（tr）比类似的MOSFET低32％。
几天前发布的设备采用PowerPAK®8x8封装，符合RoHS，无卤素，可在雪崩模式下抵抗过压瞬变，并保证100％通过UIS测试。 SiHH070N60EF现在可以提供样品，并已实现批量生产，交货时间为10周。
同时，栅极电荷减少了60％，这使得器件的导通电阻和栅极成为极电荷产物，也就是说，功率转换应用中600V MOSFET的重要品质因数（FOM）最低。创业世界。
Vishay提供了丰富的MOSFET技术来支持所有级别的功率转换，涵盖了从高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出以及即将推出的第四代600V EF系列产品的推出，Vishay可以在电力系统架构设计的前两个阶段满足改善能效和功率密度的要求，包括图腾柱无桥功率因数校正（ PFC）和软切换DC / DC转换器的拓扑。
SiHH070N60EF基于Vishay最新的高效E系列超级结技术。在10V条件下，典型的导通电阻仅为0.061Ω，超低栅极电荷降至50nC。
该器件的FOM为3.1Ω* nC，比同类产品的MOSFET低30％。这些参数表明减少了传导和开关损耗，从而节省了能量。
SiHH070N60EF的有效输出电容Co（er）和Co（tr）分别仅为90pf和560pF，这可以改善零电压开关（ZVS）拓扑（如LLC谐振转换器）的开关性能。器件的Co（tr）比类似的MOSFET低32％。
几天前发布的设备采用PowerPAK®8x8封装，符合RoHS，无卤素，可在雪崩模式下抵抗过压瞬变，并保证100％通过UIS测试。 SiHH070N60EF现在可以提供样品，并已实现批量生产，交货时间为10周。