差分放大器中的差模输入与共模输入电阻分析

在差分放大器中，差模输入电阻（Rid）和共模输入电阻（Ric）是两个关键参数。差模输入电阻定义为施加差模电压时所测得的输入电阻，而共模输入电阻则是在施加共模电压条件下的输入电阻。理想情况下，差分放大器设计为具有高差模增益和低共模增益，因此差模输入电阻通常设计得较高，以减少信号源的影响，而共模输入电阻的设计则需考虑抑制共模噪声的需求。 差模输入电阻Rid主要取决于输入级晶体管的特性，通常通过MOS或BJT对实现，并通过适当的偏置技术优化。对于基于MOSFET的差分对，差模输入电阻可以非常高，因为MOSFET的栅极电流接近于零。而对于BJT差分对，Rid则由发射极电阻及器件的内部特性决定。 共模输入电阻Ric则更为复杂，因为它不仅受到输入级晶体管特性的影响，还受共模反馈网络的影响。在许多设计中，为了提高共模抑制比（CMRR），共模输入电阻被设计得尽可能高，以确保共模信号的影响最小化。然而，高共模输入电阻可能会影响电路的稳定性和带宽，因此需要在性能需求之间进行权衡。