1.正向电压降低，暗光A：一种是电极与发光材料欧姆接触，但接触电阻较大，这主要是由于材料基板浓度低或电极缺陷造成的。 B：一个是电极和材料处于非欧姆接触，这主要发生在芯片电极的制备，挤压或压印以及分布位置期间蒸发第一层电极时。
另外，在包装过程中也可能降低前向压力，这主要是由于银胶的固化不足，支架或芯片电极的污染等导致高接触电阻或不稳定的接触电阻。在固定电压下测试正向电压降低的芯片时，流经芯片的电流很小，因此会出现暗点。
还有一种暗光现象，即芯片本身的发光效率低，正向压降正常。 2.难以压焊：（主要包括不粘，电极脱落，刺穿电极）A：不粘：主要是由于电极表面的氧化或胶粘造成的。
B：与发光材料和金属之间没有牢固的接触。粗线层快，粗线层主要脱落。
C：穿刺电极：通常与芯片材料有关。具有脆性和低强度的材料容易刺穿电极。
通常，GAALAS材料（例如高红色，红外芯片）比GAP材料更容易刺穿电极。 D：压力焊接调试应根据焊接温度，超声波功率，超声波时间，压力，金球尺寸，支架位置等进行调整3.发光色差：A：同一芯片的发光色差明显主要是由于外延晶片的材料问题。
ALGAINP的四元素材料采用非常薄的量子结构，因此难以确保每个区域的组成一致性。 （成分决定带隙，而带隙决定波长）。
B：GAP黄绿色芯片，发光波长不会有大的偏差，但是由于人眼对该波段的颜色敏感，因此容易检测出淡黄色和绿色。由于波长是由外延晶片的材料决定的，因此面积越小，色偏的概念越小，因此在M / T操作中存在一种邻居选择方法。
C：GAP红芯片具有略带橙黄色的发光颜色，这是由于发光机制的间接飞跃引起的。受杂质浓度的影响，当电流密度增加时，可能会发生杂质能级移动和发光饱和，并且发光开始变成橙黄色。
4.晶闸管效应：A：表示在正常电压下不能打开发光二极管。当电压增加到一定水平时，电流会突然变化。
B：晶闸管现象是由发光材料外延晶片的生长过程中的反向夹层引起的。当测试IF = 20MA时，具有这种现象的LED的正向压降将被隐藏。
使用过程是因为两极电压不够大。 ，性能不佳，可以使用测试信息仪器检查晶体管图形仪器的测试曲线，也可以在小电流IF = 10UA下找到正向压降。
小电流下的正向压降明显过大，可能是由问题引起的。 5.反向漏电流：A：原因：外延材料，芯片生产，器件封装，在5V下一般反向漏电流为10UA，并且反向电压也可以在固定反向电流下进行测试。
B：不同类型的LED的反向特性差异很大：正常的绿色和正常的黄色芯片的反向击穿电压可以达到100伏以上，而正常的芯片则在10至20伏之间。 C：由外延引起的反向泄漏主要是由PN结的内部结构缺陷引起的。
在芯片生产过程中，侧面腐蚀不足或银胶丝粘在测量表面上。严禁使用有机溶液配制银胶。
为了防止银胶通过毛细现象爬升至接合处。