IGBT，中文名称是绝缘栅双极晶体管。
它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）组成的设备。
它具有驱动功率低，开关速度快（控制和响应）的特性，双极型器件具有降低饱和电压和大容量的特性（功率级更耐用），频率特性在MOSFET和功率晶体管之间，它可以在数十kHz的频率范围内正常工作。
理想的等效电路和实际的等效电路如下图所示：generally通常不使用IGBT的静态特性，因此暂时无需考虑静态特性，而将重点放在动态特性（开关特性）上。
可以从下表获得简单的动态特性过程：IGBT导通过程IGBT在导通过程1中分为几个时间段。
类似于MOSFET的导通过程也分为三个部分2.只是在漏源DS电压下降过程的后期，为PNP晶体管增加了从放大区域到饱和过程的延迟时间。
在上表中定义：接通时间Ton，上升时间Tr和Tr.i除这两次以外，还有另一个接通延迟时间td.on：td.on = Ton-Tr .i IGBT在IGBT的关断过程中，漏极电流的波形变为两个部分。
第一阶段基于MOS管被关闭的特性。
第二阶段是在MOSFET关断之后，PNP晶体管上存储的电荷难以快速释放，从而导致漏极电流的拖尾时间较长。
在上表中，定义为：关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i。
除表外，trv还定义为DS端子电压的上升时间和关断延迟时间td（off）。
漏极电流下降时间Tf由图中的t（f1）和t（f2）组成，总关断时间可以称为toff = td（off）+ trv十t（f），td（off） + trv的总和也称为存储时间。
详细的栅极电流和栅极电压，以及CE电流和CE电压之间的关系可以从下图看到：在另一幅图中查看MOS管和IGBT管的栅极特性可能有一个更清晰的概念：导通过程休假过程
